檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "材料科學與工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="二維材料"
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本研究首先利用水熱法合成出氫氧碳酸鈰(Ce(OH)CO3)奈米片，在空氣下煆燒後可得到二氧化鈰(CeO2)奈米片，其尺寸可達數微米，厚度可約為200奈米。此種奈米片結晶良好，但表面粗糙，且有很多小顆…
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二維過渡金屬二硫化物在近年來備受矚目，因其半導體的特性以及身為二維材料在厚度上可以達到原子級，被業界認為具有延續摩爾定律的潛力。作為第四族過渡金屬二硫化物，二硫化鋯的研究相對於二硫化鉬、二硫化鎢等仍…
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本論文研究的半導體奈米材料有三種，分別為SnO2/SnS2異質結構奈米片、SnxSe(1-x)奈米線以及SnSe2/SnSe異質結構奈米片。 第一部份，SnO2/SnS2異質結構奈米片以CVD製程成…
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近幾年來，由於二維奈米結構與相對應的塊材比較時，研究顯示出獨特的物理及化學性質而迅速發展。在這項工作中，首次採用化學氣相沉積法在二氧化矽/矽基板上成長了約12微米的六邊形硒化鎳奈米片，量測硒化鎳奈米…
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許多合成奈米材料的溶液系統中，定向附著成長機制已經被發現，然而，這樣的生長機制尚未在氣相沉積二維奈米材料系統中被探討。此研究中，利用硫與錫粉末成長二硫化錫奈米薄片，自不同的生長階段焠火以探討其生長機…
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近年來，過渡金屬二硫化物因其具有半導體特性、可調遷移率和可撓性等特性而引起了廣泛的關注。為了提供大規模商業生產，有效控制生長參數將是實現大尺寸和層數可調控之二維材料的關鍵。本次研究中，我們嘗試使用氯…
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本論文主要聚焦在二硫化鉿的材料成長及其光學、電子元件性質等上應用。因第四族 過渡金屬(如鋯和鉿)二硫化物具有獨特的特性，如電子遷移率與傳統的第六族過渡金 屬(鉬和鎢等)二硫化物相比，約為其理論值的5…
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自2004年石墨烯被證實能單獨穩定的存在於自然界中，為世人開啟了名為二維材料領域的序幕，而擁有半導體能隙特性的過渡金屬二硫族化物(Transition Metal Dichalcogenides)包…